本文摘要：
近年来，电源的输入电压越来越低、输入电流更加大（某些电源系统输入几十安培到上百安培）。近年来，电源的输入电压越来越低、输入电流更加大（某些电源系统输入几十安培到上百安培）。因此，电源设计中使用开关电源控制器、再加多个驱动器及功率MOSFET构成的静电学开关电源能符合这种拒绝。若使用静电学控制器与功率MOSFET构成的结构，应用于十分灵活性，可以根据输入电流的大小合理选择开关管及实时整流管，并且可取得很好的转模效率及较低的纹波电压。
为增加在工作频率低时的电源管损耗，拒绝电源管的栅极电容小、导通电阻小；并且拒绝输入漏极电流大，不少功率MOSFET厂家争相研发出有各种较低Qg、较低RDS（on）及大ID的专用开关电源MOSFET。本文讲解Infineon公司在2007年7月发售的为开关电源设计的N闸极低电源速度功率MOSFET。它的型号是BSCO16NO3LSG。它的产品概要为：VDS=30V、RDS（on）=1.6m、ID=100A。
主要特点及有关参数 BSCO16NO3LSG的主要特点及有关参数： 1.可使用TTL逻辑电压掌控； 2.在TTL逻辑低电压时，其导通电阻RDS（on）较小。如VGS=5V时，RDS（on）=1.7m；VGS=4.5V时，RDS（on）=1.8m；VGS=4V时，RDS（on）=2m；并且ID在0～50A范围内变化，RDS（on）恒定，如图1右图； 图1BSCO16NO3LSG的典型溢-源导通电阻 栅极电荷QgRDS（on）的乘积小，不利于工作于高频率时增大损耗及具备较好的电源特性； 3.热阻RJC较低，RJC=1℃/W；并且在40mm40mm1.5mm单层的屋铜板（环氧树脂PCB），其铜层面积为6cm2（铜层薄70M），PCB横向在惯性空气中的热阻RJA=50℃/W。这解释在一定工作条件下，功率MOSFET所需的加热风扇的PCB面积并不大，可以增加PCB面积； 4.小尺寸PGTDSON8PCB（一种PCB背面有较小面积风扇夹的结构），其尺寸为：6mm5mm1mm。
其背面形状如图2右图； 图2BSCO16NO3LSG的PCB背面有较小面积风扇垫 5.在充足大的风扇面积条件下，VGS=4.5V，该器件风扇夹的温度TC在25℃～100℃范围，其仅次于的倒数ID平均100A。如果在其骑侍郎热敷铜层面积为6cm2的条件下（RJA=50℃/W），VGS=10V、TA环境温度=25℃，其仅次于倒数ID为32A。如果拒绝倒数ID小于32A，可减少风扇面积或使用双层的屋铜层的PCB。
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