本文摘要：
【前言】在原子尺度上准确设计具备横向结构的高性能半导体薄膜可用作现代集成电路和新型材料的研究。【前言】在原子尺度上准确设计具备横向结构的高性能半导体薄膜可用作现代集成电路和新型材料的研究。取得这种薄膜的一种方法是构建倒数的层层自装配，即利用二维建构材料在横向方向上填充，并依赖范德华力相连。石墨烯以及过渡性金属二硫化物这些只有1和3原子薄的二维材料就被用作构建一些先前制取更为艰难的异质结，并展现出出有更为出色的物理特性。
然而，还没既能维持二维材料建构本征特性又能产生夹层界面的大规模自装配的方法不存在，这容许了层层自装配方法向一个小尺度规模化制取的改变。【成果概述】康奈尔大学JiwoongPark（通讯作者）等人报导了构建高水平空间均匀分布性和本征夹层界面生产晶圆级尺度的半导体薄膜的方法。涉及研究论文以为题“Layer-by-layerassemblyoftwo-dimensionalmaterialsintowafer-scaleheterostructures”于2017年9月21日在线公开发表于Nature顶刊。薄膜的横向方向组分通过二维材料模块在真空下原子尺度上的自装配构建。
同时制取了一些大规模、高质量的异质结薄膜和设备，还包括超强晶格薄膜、出厂生产的电阻固定式的隧道结阵列、能带调控异质结隧道二极管以及毫米级超强薄膜。填充构成的膜消声器、可中断并与水和塑料等界面兼容，从而可实现与其他光学和机械系统集成。
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